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數(shù)碼硬件愛好者朋友都知道，在DDR2和DDR3內(nèi)存時(shí)代，功耗和散熱問題基本可以忽視，內(nèi)存顆粒是可以裸奔的，內(nèi)存顆粒直接暴露在PCB電路板上沒有問題。
進(jìn)入DDR3內(nèi)存時(shí)代，絕大多數(shù)廠商的產(chǎn)品也都是裸奔的，只有極少數(shù)高端型號(hào)，才會(huì)為內(nèi)存條添加額外的金屬散熱馬甲。到DDR4內(nèi)存時(shí)代，為內(nèi)存條添加金屬散熱馬甲這一做法已經(jīng)成為了主流，相反，只有一些低端產(chǎn)品才會(huì)繼續(xù)裸奔。
現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入了DDR5內(nèi)存時(shí)代，內(nèi)存的運(yùn)行頻率不斷提高，目前市面上主流在售的DDR5內(nèi)存，其運(yùn)行頻率普遍都達(dá)到了600MHz以上，而且還將繼續(xù)提升。
在這種情況下，內(nèi)存條的散熱問題開始變得比以前更加嚴(yán)峻，廣大用戶要開始切實(shí)重視這個(gè)問題了，針對(duì)這個(gè)問題，威剛近日推出了一項(xiàng)創(chuàng)新。
3月6日，威剛科技宣布從2024年第二季度開始，該公司將為其運(yùn)行頻率為8000MT/s以上的高端DDR5內(nèi)存，采用一種特殊的熱涂層技術(shù)，可大幅降低內(nèi)存顆粒的溫度。
到時(shí)，威剛DDR5內(nèi)存條的PCB將采用將導(dǎo)熱、散熱、絕緣集成到經(jīng)過優(yōu)化的阻焊層中的技術(shù)，不僅可以絕緣，還可以提升散熱傳導(dǎo)效率，提升散熱效果。
對(duì)此，威剛公布了一組效果對(duì)比圖（上圖），左邊是沒有采用特殊涂層工藝的普通DDR5內(nèi)存，溫度為78.5度，右邊是采用了特殊涂層工藝的DDR5內(nèi)存，溫度為70度。
采用了特殊涂層工藝的DDR5內(nèi)存的溫度比普通DDR5內(nèi)存低8.5C，散熱效率提高了10.8%，效果非常顯著。平心而論，降幅比較大，效果很明顯，因此，不能說這項(xiàng)技術(shù)是噱頭，確實(shí)比較實(shí)用。
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需要強(qiáng)調(diào)的是，并不是所有的威剛DDR5內(nèi)存條都將采用這項(xiàng)技術(shù)，僅適用于運(yùn)行頻率為8000MT/s以上的高端內(nèi)存條，中低端內(nèi)存可能暫時(shí)無法享受這項(xiàng)福利，不過中低端內(nèi)存的散熱問題也沒有那么嚴(yán)重，所以可以無視。
威剛表示，預(yù)計(jì)將在今年6月份舉辦的Computex 2024活動(dòng)上正式發(fā)布采用新涂層技術(shù)的DDR5內(nèi)存，具體上市時(shí)間和價(jià)格目前未知。
很明顯，這種內(nèi)存條的潛在用戶是高端群體，采用Core i9-14900K（/KS）、Z790主板，再搭配威剛的這種內(nèi)存，用來玩超頻非常香，有需要的高端用戶到時(shí)可以考慮上車。
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